儲能鋰電池對社會(huì )民生發(fā)展的作用越來(lái)越大，因為太陽(yáng)能的轉化成電能儲存在電池中，給晚上用電器使用，這樣可以很好的節省電能費用，提高國民收入，提升生活質(zhì)量。那么太陽(yáng)能儲能電池轉換效率受什么因素影響？

1.禁帶寬度

Voc隨E。的增大而增大，但另一方面，Isc隨E的增大而減小。結果是可期望在某一個(gè)確定的E。隨處出現太陽(yáng)電池效率的峰值。

2.溫度

隨溫度的增加，效率n下降。Isc對溫度T不很敏感，溫度主要對Voc起作用。

對于Si，溫度每增加1C，Voc下降室溫值的0.4%，也因而降低約同樣的百分數。例如，一個(gè)硅電池在20C時(shí)的效率為20%，當溫度升到120C時(shí)，效率僅為12%。又如GaAs電池，溫度每升高1℃，Voc降低1.7mv或降低0.2%。

3.復合壽命

希望載流子的復合壽命越長(cháng)越好，這主要是因為這樣做Isc大。少子長(cháng)壽命也會(huì )減小暗電流并增大Voc。在間接帶隙半導體材料如Si中，離結100m處也產(chǎn)生相當多的載流子，所以希望它們的壽命能大于1μs。在直接帶隙材料，如GaAs或Gu，S中，只要10ns的復合壽命就已足夠長(cháng)了。

達到長(cháng)壽命的關(guān)鍵是在材料制備和電池的生產(chǎn)過(guò)程中，要避免形成復合中心。在加工過(guò)程中，適當而且經(jīng)常進(jìn)行工藝處理，可以使復合中心移走，因而延長(cháng)壽命。

4.光強

將太陽(yáng)光聚焦于太陽(yáng)電池，可使一個(gè)小小的太陽(yáng)電池產(chǎn)生出大量的電能。設想光強被濃縮了X倍，單位電池面積的輸入功率和Jsc都將增加X(jué)倍，同時(shí)Voc也隨著(zhù)增加（kT/q）1nX倍。因而輸出功：

率的增加將大大超過(guò)X倍，而且聚光的結果也使轉換效率提高了。。

5.摻雜濃度及剖面分布

對Voc有明顯的影響的另一因素是摻雜濃度。雖然N，和N。出現在V。定義的對數項中，它們的數量級也是很容易改變的。摻雜濃度愈高，V。.愈高。一種稱(chēng)為重摻雜效應的現象近年來(lái)已引起較多的關(guān)注，在高摻雜濃度下，由于能帶結構變形及電子統計規律的變化，所有方程中的N，和N。都應以（N1）fr和（N。）。ee代替。如圖2.18。既然（N1）eft和（N。）cff顯現出峰值，那么用很高的N。和N。不會(huì )再有好處，特別是在高摻雜濃度下壽命還會(huì )減小。

目前，在Si太陽(yáng)電池中，摻雜濃度大約為1016cm-3，在直接帶隙材料制做的太陽(yáng)電池中約為1017cm3，為了減小串聯(lián)電阻，前擴散區的摻雜濃度經(jīng)常高于1019cm-3，因此重摻雜效應在擴散區是較為重要的。

當N，和N?；颍∟1）f和（N。）f不均勻且朝著(zhù)結的方向降低時(shí)，就會(huì )建立起一個(gè)電場(chǎng)，其方向能有助于光生載流子的收集，因而也改善了Isc。這種不均勻摻雜的剖面分布，在電池基區中通常是做不到的；而在擴散區中是很自然的。

6.表面復合速率

低的表面復合速率有助于提高Isc，并由于Io的減小而使V。c改善。前表面的復合速率測量起來(lái)很困難，經(jīng)常被假設為無(wú)窮大。一種稱(chēng)為背表面場(chǎng)（BSF）電池設計為，在沉積金屬接觸之前，電池的背面先擴散一層P+附加層。

7.串聯(lián)電阻

在任何一個(gè)實(shí)際的太陽(yáng)電池中，都存在著(zhù)串聯(lián)電阻，其來(lái)源可以是引線(xiàn)、金屬接觸柵或電池體電阻。不過(guò)通常情況下，串聯(lián)電阻主要來(lái)自薄擴散層。PN結收集的電流必須經(jīng)過(guò)表面薄層再流入最靠近的金屬導線(xiàn)，這就是一條存在電阻的路線(xiàn)，顯然通過(guò)金屬線(xiàn)的密布可以使串聯(lián)電阻減小。串聯(lián)電阻R。的影響是改變I-V曲線(xiàn)的位置。